RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2346
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link