RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link