RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link