RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3473
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link