RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2529
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link