RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2468
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link