RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2726
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link