RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3046
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link