RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
48
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
30
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3046
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link