RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2726
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link