RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2078
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link