RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2601
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link