RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2509
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link