RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2891
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link