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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
13.6
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2891
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Mushkin 994083 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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