RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3170
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link