RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
54
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3170
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link