RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424016 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2035
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link