RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3027
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link