RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2041
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link