RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4022
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link