RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3601
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link