RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3734
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link