RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3420
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link