RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2633
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link