RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2349
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link