RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2349
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link