RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2870
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link