RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3073
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link