RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link