RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3515
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link