RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3515
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link