RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3809
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link