RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3809
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link