RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3447
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link