RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link