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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.9
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB RAM的比较
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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