RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3738
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link