RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3738
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link