RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
55
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2699
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link