RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3845
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link