RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3804
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link