RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3804
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link