RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3890
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link