RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2989
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link