RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3826
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link