RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
77
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
73
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
1724
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link