RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
1774
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link