RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
4089
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link