RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
1732
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link